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记忆体 SK Hynix 推1Ynm的8Gb DDR4,

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在全球 DRAM 记忆体晶片市场上,SK Hynix 目前的市场份额达到了29%,仅次于三星的45%,位列全球第二,领先于美光。在 DRAM 技术上,今年三星及美光都宣布了新一代 1Ynm 製程的 DRAM 记忆体晶片,SK Hynix 日前也宣布开发出 1Ynm 的 8Gb DDR4 记忆体,频率3200Mbps,同时生产效率提升20%,功耗降低了15 %。

记忆体  SK Hynix 推1Ynm的8Gb DDR4,

8Gb DDR4-3200 记忆体颗粒本身并不新鲜,三星/SK Hynix/美光两年前就有类似的产品了,不过这次的8Gb DDR4记忆体晶片是1Ynm製程,这是1Xnm製程之后第二代10nm级 DRAM 製程,三星、美光之前已经宣布过类似的产品,现在是 SK Hynix 试产新製程了。

在20nm节点之后,DRAM 记忆体製程的线宽指标不再那么精确,所以有了 1Xnm、1Ynm 及 1Znm 之分,简单来说 1Xnm 製程相当于16-19nm,1Ynm 製程相当于14-16nm,1Znm 製程大概是12-14nm,现在三星、美光及 SK Hynix 是进行到了第二代10nm级製程,不过三家量产的产品不同,三星、美光都是选择 LPDDR4X 记忆体首发 1Ynm 製程,SK Hynix 选择的是 1Ynm 製程的 DDR4-3200 记忆体。

除了製程升级,SK Hynix 还表示 1Ynm 製程 8Gb DDR4 晶片在生产效率上提升了20%,性能也是目前最快的。此外,通过Sense Amp.Control技术,1Ynm 製程的 DDR4 晶片能耗降低了15%,

根据 SK Hynix 的规划,1Ynm 製程的 DDR4 记忆体预计会从明年Q1季度开始出货,首先面向伺服器及 PC 产品,接下来还会有针对移动设备等产品的 1Ynm 製程记忆体晶片。
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