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记忆体 SK hynix 宣布採用 1Znm 製程的 1

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SK hynix 于今天宣布推出使用 1Znm 製程的 16Gb DDR4 记忆体颗粒,明年开始量产。SK hynix 的 1Znm 製程已经是他们在10nm节点中的第三代製程技术。

记忆体  SK hynix 宣布採用 1Znm 製程的 1

相比起上一代 1Ynm,SK hynix 的 1Znm 製程可以提高27%的产量,并且还不需要 EUV 製程的介入,在製程的“性价比”上又提高了许多。而能效比也伴随着製程提升而增加,与 1Ynm 的8Gb颗粒相比,功耗降低了约40%,而最高的传输速率可以提升到3200Mbps,SK hynix 称他们的 1Znm 颗粒拥有业界最高的密度、速率和能量效率。另外,他们在新製程中还引入了新的物质改善颗粒的电气效能,并引入了新的设计提高记忆体的稳定性。

现在 DDR4 颗粒的三大生产厂中,美光已经在今年8月份的时候宣布他们的 1Znm 製程量产了,而三星则是更早,在今年3月份就宣布了 1Z 製程的量产,不过三星是宣布用于8Gb颗粒的生产,而现在美光和 SK hynix 都是将 1Znm 用于16Gb颗粒的生产。

而随着主要记忆体颗粒生产厂切换到产能更高的製程上,记忆体容量可能很快就要翻一倍,从目前主流的16GB加倍到32GB。现在市面上常见的单条16GB记忆体条因为使用的多为8Gb的颗粒,所以多为双面设计,而在16Gb大容量颗粒量产之后,有望普及单面16GB和双面32GB的记忆体条。

SK hynix 还计划将 1Znm 製程拓展到其他生产应用中,比如下一代 DDR5、下一代移动 DRAM LPDDR5 和未来的 HBM3。


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